高溫貯存試驗
一、試驗目的
通過高低溫試驗箱模擬環(huán)境溫度變化提高電子元器件環(huán)境溫度、濕度、溫度循環(huán)等適應能力，加速元器件中可能發(fā)生或存在的化學反應（如由水蒸汽或其他離子所引起的腐蝕作用，表面泄漏、污染以及金-鋁金屬化合物的產(chǎn)生等），提前消除潛在缺陷。
電子元器件的許多故障是由于體內(nèi)和表面的各種物理化學變化引起的。當環(huán)境溫度升高后，化學反應速率大大加快，故障過程也得到加速。有缺陷的元器件就會暴露。
高溫儲存試驗對表面污染、引線鍵合不良和氧化層缺陷有很好的篩選作用。
二、試驗原理
高溫儲存是在試驗箱中模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（無電應力），加快部件體內(nèi)和表面各種物理化學變化的化學反應速率，加速故障過程，使有缺陷的部件盡快暴露；提前消除潛在缺陷。
高溫儲存篩選的特點：
對于工藝和設計水平較高的成熟設備，由于設備本身非常穩(wěn)定；最大的優(yōu)點是操作簡便易行?？纱笈窟M行試驗篩選，投資少，篩選效果好，是目前常用的篩選試驗項目。
三、試驗設備
高低溫試驗箱，適用于在高溫、低溫（交替）循環(huán)、恒溫變化下檢查基礎可靠性各項性能指標的儀器設備。產(chǎn)品部件和材料可能在高溫下軟化、降低效率、特性變化、潛在損壞、氧化等現(xiàn)象。
四、試驗標準
高溫貯存試驗可參考標準GBT2423.1、GBT2423.2、GJB150.3A-2009、GJB150.4A-2009等。
